技术发展——技术仍在不断进步中
光刻机一般可以分为无掩模光刻机和有掩模光刻机,其具体分类如下:
光刻工艺流程较多,占晶圆制造耗时的40%-50%,光刻技术也在不断的发展,自光刻机面世以来,光刻设备已经进行了四次重大的革新,光刻设备所用的光源,也从最初的g-line,i-line历经KrF、ArF发展到了如今的EUV。目前,EUV光刻机设备被ASML完全垄断,ASML的EUV光刻机市占率达到100%。
技术发展——技术仍在不断进步中
光刻机一般可以分为无掩模光刻机和有掩模光刻机,其具体分类如下:
光刻工艺流程较多,占晶圆制造耗时的40%-50%,光刻技术也在不断的发展,自光刻机面世以来,光刻设备已经进行了四次重大的革新,光刻设备所用的光源,也从最初的g-line,i-line历经KrF、ArF发展到了如今的EUV。目前,EUV光刻机设备被ASML完全垄断,ASML的EUV光刻机市占率达到100%。