通过结隔离技术，PMOS和NMOS晶体管的N和P井形成寄生硅控整 流器（SCR）电路。过压条件可能触发此SCR，导致电流被显著放 大，进而引起闩锁。
如果输入或输出引脚电压之一超过供电轨一个二极管压降以上， 或者电源时序控制不当，则可发生闩锁。如果通道上出现故障， 且信号超过最大额定值，则故障可触发典型CMOS器件的闩锁状 态。
电路上电期间，也可能在CMOS开关上电前产生输入端电压，特 别是使用多个电源为电路供电时。此条件可能超过器件的最大额 定值，并触发闩锁状态。
ADG5408是防闩锁型高压8：1多路复用器。用于制造ADG5408的沟 道隔离技术可防止闩锁状态，并减少外部保护短路。防闩锁不保 证过压保护，仅表示开关会进入高电流SCR模式。ADG5408还具有 8 kV人体模型静电放电（ESD）额定值（ANSI／ESDA／JEDEC JS－001－2010）。
图1中的电路显示了用于电池监控应用中的ADG5408。一个多路复 用器用于正引脚，另一个用于负引脚。此差分多路复用允许将单 个仪表放大器用于最多八个通道。这样，放大器可以消除每个电 池的共模电压。
图1．电池监控电路
在设计和评估IC时，必须对其进行测试以评估其受闩锁影响的可 能性。闩锁测试期间，将应力电流施加于引脚1 ms，此操作称为 触发，触发前后测量引脚上的电流。最大应力测试在开关断开、 漏极（D）设为VDD且源极（S）设为VSS时执行，如图2所示。
图2．闩锁测试配置（触发前）的常见变化
接着源极电压被驱动至超过VSS，直至达到所需的触发电流。如果 未发生闩锁，则引脚电流返回预触发值。发生闩锁后，引脚继续 吸取电流，而不用触发电压驱动。只能通过关断器件来停止。
图3显示典型CMOS开关（使用外延层）与ADG5408在接受闩锁测试 时的结果对比。可以看出，此典型CMOS开关在＆minus；290 mA达到闩锁 电流，而ADG5408不会发生闩锁，除非测试结束于＆minus；510 mA。
图3．闩锁触发后的电流比较
