随着台积电和三星就3nm工艺量产展开竞赛，3nm工艺也日益成为热点，业界都期待中国芯片行业也能跟上全球脚步，日前有报道指出中国在3nm工艺上也赶上了脚步，显示出在美国的压力下，中国芯片产业链在加速跟上全球芯片先进技术。
在芯片制造方面，中国在诸多环节方面都已取得进展，芯片制造的八大环节都已突进到14nm，其中刻蚀机更已进展到5nm，目前限制国产芯片制造的主要就是光刻机，如今正在努力推进国产28nm光刻机的量产。
虽然国产芯片仍然受制于光刻机，但是其他环节却在积极各自突破，这次成功突破到3nm工艺的就是封测环节，据悉中国新兴的封测企业利扬芯片已完成了3nm芯片的测试，这是中国芯片产业链的又一个重大突破。
封测其实同样是芯片生产过程中的一个重要环节，芯片制造厂生产出晶圆之后，需要封测厂将其中的成片挑选出来，将芯片内部与外部电路连接起来，同时以外封装保护晶片，如此芯片才能应用于手机等各种产品中，因此封测也已发展成为芯片生产过程中一个庞大的产业。
在封测环节突进到3nm，对于国产芯片来说是又一个重要的突破，意味着国产芯片仍然在不断创新，努力在现有的条件下继续推进，这些环节准备好，一旦光刻机方面得到解决，国产芯片就能迅速进步到7nm乃至更先进的工艺。
由于众所周知的原因，国产芯片在获取先进的EUV光刻机方面面临困难，甚至近期美国方面传出消息指连成熟的DUV光刻机也要求ASML不要卖给中国芯片，可见美国方面为了限制中国芯片的发展可谓竭尽全力。
不过从上述情况可以看到，中国芯片并未因美国的做法而气馁，仍然按照自己的脚步前进，力求在现有条件下创造条件前进，在力所能及的范围内取得新的技术突破，实现自力更生。
事实上这几年在中国芯片的努力下，国产芯片自给率一直都在稳步提升，特别是成熟工艺芯片自给率已得到大幅提升，目前国产芯片已达到日产10亿颗的水平，随着国产芯片的产能不断上涨，已让美国芯片感受到紧张，美国已有多种芯片出现供给过剩，甚至不得不大幅降价九成求售。
如今国产芯片生产环节进一步突进到3nm，意味着美国的做法反而促进了中国芯片生产的进步，只要中国芯片持之以恒，终有一天能实现芯片各个环节的国产化，到那时候谁也无法阻止中国芯片，美国芯片正是忧虑这种前景，因此试图不断收紧各方面的限制，然而这注定是徒劳的。
值得注意的是美国一方面试图限制其他经济体向中国出售先进芯片技术，另一方面它却又不断给它自家的芯片提供许可，这种做法也逐渐为其他经济体的芯片企业所诟病，毕竟市场就这么大，美国分走了更多市场也就损害了它们的利益，长久下去美国的这种联盟终究会破灭。
原文标题 : 美国阻止不了中国芯片制造的进步，已成功突进到3nm环节
