去年，三星宣布在其Exynos 9825中使用的7LPP工艺中引入了EUV。通过对芯片的分析，我们发现他们在9825中的所谓7LPP工艺与在Exynos 9820中的8LPP工艺之间几乎没有区别。
现在，我们很高兴地说，我们在其旗舰产品Galaxy S20中的Exynos 990中发现了三星真正的7LPP工艺。如我们所料，这款7纳米EUV工艺是迄今观察到的三星密度最高的。
凭借27nm的fin节距，这一突破性创新使NMOS和PMOS晶体管的3fin／3fin版图可保持268nm的较小标准单元高度，同时拥有高驱动电流。
与台积电的7nm 3／3 7．5T 300nm标准单元高度和 2／2 6T 240nm标准单元高度相比，EUV光刻实现的密度确实更高。
英特尔的10纳米制程具有相近的272nm标准单元高度，但是采用了2／3 的fin数比例。除了节距微缩外，三星还以令人惊讶的实现方式推出了SDB，该SDB缩短了所需的晶体管隔离距离，最初宣布SDB会在其6LPP工艺平台中进行部署。
