MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 MRAM主体结构由三层结构的MTJ（magnetic tunnel junction）构成：自由层（free layer），固定层（fixed layer）和氧化层（Tunneling oxide）。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。STT-MTJ利用自由层和固定层磁矩方向来存储信息，平行状态（parallel），电阻为低阻；非平行状态（anti-parallel），电阻为高阻。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。